WD4000晶圓薄膜厚度測量設備亞納米級精準量測，解決半導體工藝中薄膜厚度測量中面臨的"傳統(tǒng)設備分辨率低，無法捕捉納米級薄膜厚度變化“"硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍寶石等精密晶圓表面“"多層/特殊晶圓適配難“等測量難題。

一、解決半導體工藝核心痛點

在半導體制造、外延生長、封裝減薄等核心工藝中，晶圓薄膜厚度的均勻性與精準度直接決定芯片良率——薄膜厚度偏差哪怕是納米級，都可能導致光刻失焦、薄膜沉積不均、拋光殘留應力等連鎖問題，最終造成批量產(chǎn)品報廢。WD4000以專屬核心技術(shù)突破傳統(tǒng)測量瓶頸，為超精密薄膜量測提供“精準、高效、無損"的一體化解決方案。

1.半導體工藝中薄膜厚度測量的四大難題

（1）精度不足引發(fā)工藝缺陷：傳統(tǒng)設備分辨率低，無法捕捉納米級薄膜厚度變化，導致薄膜沉積不均、光刻焦點深度波動，直接影響電路圖案精度與后續(xù)蝕刻效果；

（2）接觸式測量損傷工件：硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍寶石等精密晶圓表面，或破壞脆弱薄膜層，造成高價值工件報廢；

（3）多層/特殊晶圓適配難：鍵合晶圓、外延片等多層結(jié)構(gòu)，及低反射率、粗糙表面晶圓的薄膜厚度測量，傳統(tǒng)設備易出現(xiàn)信號干擾、數(shù)據(jù)失真；

（4）效率低且數(shù)據(jù)脫節(jié)：需多設備切換測量薄膜厚度、TTV、粗糙度等參數(shù)，流程繁瑣且數(shù)據(jù)不同步，難以適配批量生產(chǎn)的高效檢測需求。

2.WD4000薄膜厚度測量核心技術(shù)優(yōu)勢

（1） 亞納米級分辨率

搭載白光干涉光譜分析儀，通過專屬數(shù)值七點相移算法精準計算，實現(xiàn)亞納米級（Z向分辨率0.1nm）薄膜局部高度測量，可捕捉最小納米級厚度變化，確保薄膜厚度數(shù)據(jù)精準可追溯，滿足半導體工藝對量測精度的嚴苛要求。

（2）雙技術(shù)適配多元場景

紅外傳感器技術(shù)：探測光經(jīng)晶圓不同表面反射形成干涉，精準計算兩表面間距（即薄膜厚度），專為外延片、鍵合晶圓等多層結(jié)構(gòu)晶圓設計，輕松破解多層薄膜量測難題；

非接觸式光學測量：光譜共焦+白光干涉雙重光學技術(shù)，不接觸晶圓表面與薄膜層，從源頭避免劃傷、磨損等損傷，適配碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等多種材質(zhì)，及光滑/粗糙、低反射率/高反射率等不同表面特性晶圓。

（3） 一體化集成設計

設備集成薄膜厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多參數(shù)測量模塊，無需多設備切換，一次性完成薄膜厚度及關聯(lián)幾何參數(shù)量測，避免數(shù)據(jù)拼接偏差。搭配自動上下料、CCD Mark定位巡航功能，支持多點、線、面自動測量，移動速度500mm/s，大幅提升批量生產(chǎn)檢測效率。

（4）抗干擾設計+智能算法

采用高精度花崗巖基座與獨特隔振設計，有效抵御地面振動與空氣聲波干擾；結(jié)合空間濾波、尖峰去噪等智能數(shù)據(jù)處理算法，過濾環(huán)境與設備干擾信號，確保薄膜厚度測量數(shù)據(jù)的重復性與穩(wěn)定性，實測數(shù)據(jù)標準差低至0.03μm級。

二、精準解決客戶核心訴求

三、全場景覆蓋，不止于半導體

WD4000晶圓薄膜厚度測量設備不僅深度適配半導體行業(yè)——覆蓋襯底制造、外延生長、晶圓制造、封裝減薄等前中后道全工藝段，還廣泛應用于3C電子玻璃屏、光學加工、顯示面板、光伏等超精密加工領域，可滿足不同行業(yè)、不同規(guī)格晶圓的薄膜厚度精準量測需求。

四、實測數(shù)據(jù)佐證

（附：3D厚度熱力圖、2D剖面圖，直觀呈現(xiàn)薄膜厚度分布；支持Excel/Word/TXT/SPC等多格式報表輸出，含CA/PPK/CPK等統(tǒng)計值，滿足質(zhì)量管控需求）

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（注：支持線上咨詢、線下工廠考察與設備演示預約。本產(chǎn)品參數(shù)將根據(jù)技術(shù)迭代持續(xù)優(yōu)化，故本產(chǎn)品資料中有關內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。）